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一种发光器件包括夹在N型层和P型层之间的激活区，其允许向激活区中横向注入载流子，以降低激活区中的热生成，并将与带隙非连续性相关的额外正向电压的增加最小化。在一些实施例中，激活区是一个垂直错置的多量子阱(MQW)激活区。还提供其制作方法。...
该专利属于亚威朗(美国)所有，仅供学习研究参考，未经过亚威朗(美国)授权不得商用。

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