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一种图像传感器,包括:半导体衬底,位于所述半导体衬底内的掺杂阱以及位于所述掺杂阱内的掺杂区,所述掺杂阱与掺杂区的掺杂类型相反;位于所述半导体衬底表面的介质层,所述介质层至少覆盖所述掺杂阱;其特征在于,还包括:贯穿所述介质层的沟槽;形成于所述...该专利属于格科微电子(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过格科微电子(上海)有限公司授权不得商用。
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一种图像传感器,包括:半导体衬底,位于所述半导体衬底内的掺杂阱以及位于所述掺杂阱内的掺杂区,所述掺杂阱与掺杂区的掺杂类型相反;位于所述半导体衬底表面的介质层,所述介质层至少覆盖所述掺杂阱;其特征在于,还包括:贯穿所述介质层的沟槽;形成于所述...