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半导体发光二极管及其制造方法技术
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文档序号:7044155
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本发明公开了半导体发光二极管及其制造方法。制造半导体发光二极管(LED)的方法包括:在具有凸起和凹陷的基板上形成发光结构,所述发光结构包括第一导电半导体层、活性层和第二导电半导体层;从发光结构去除基板,以暴露对应于凸起和凹陷的第一凹凸部;在...
该专利属于三星LED株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星LED株式会社授权不得商用。
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