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本发明公开了一种大容量多值阻变存储器，属于阻变存储器制备技术领域。该阻变存储器包括上电极和下电极，在上、下电极之间插入多个阻变材料层和缺陷层组合，其中，与上、下电极接触的是阻变材料层(例如Ta2O5，TiO2，HfO2等薄膜)，阻变材料层之...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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