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本发明公开了光电转换装置、光电转换装置的封装结构和制造方法，所述制造方法包括：在半导体晶片的一侧表面上形成多个光电转换区域的第一步骤；制备具有插入开口部的遮光晶片的第二步骤；以各所述光电转换区域与各所述插入开口部彼此对应的方式，将所述半导体...
该专利属于索尼公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼公司授权不得商用。

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