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一种单晶硅太阳能电池表面V形槽绒面的制备方法，采用在单晶硅上，外延生长V形铜硅化合物，然后通过湿法腐蚀去除外延生长的V形铜硅化合物，在单晶硅表面获得低反射率的V形槽绒面结构，步骤：一、在单晶硅Si上，依次沉积Cu-Zr和Cu膜，形成单晶硅S...
该专利属于河南科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过河南科技大学授权不得商用。

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