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本发明提供了一种磁控溅射掺杂生长ZnO基薄膜的制备方法，包括步骤：将衬底放置在磁控溅射装置的反应室内，反应室抽真空至压力低于1×10-4Pa；分别将ZnO靶材和掺杂源元素靶材放置在反应室转盘上的射频靶位与直流或电磁靶位，以氧气和氩气为溅射气...
该专利属于深圳大学所有，仅供学习研究参考，未经过深圳大学授权不得商用。

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