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本发明提出一种MOS器件氮氧化硅栅氧化层制造方法，该方法包括：首先在提供的硅衬底上氮化形成氮氧化硅，然后热氧化形成氮氧化硅和硅衬底之间的第一氧化硅层和氮氧化硅上的第二氧化硅层，接着第二退火所述硅衬底之后，在第二氧化硅层上沉积多晶硅；刻蚀形成...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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