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本发明公开了一种晶体硅太阳电池缺陷修复方法，该方法通过电学和光学检测手段检测电池各种缺陷区域的漏电情况，对缺陷漏电区域精确定位，在真空、气态或液态环境中，利用激光束在缺陷漏电区域及其周围做刻蚀，切断电池缺陷漏电区域与电池其他正常工作区域的电...
该专利属于中山大学所有，仅供学习研究参考，未经过中山大学授权不得商用。

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