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本发明揭示了一种半导体性碳纳米管薄膜的制备方法，属于纳米材料制备领域，其特征在于：在分散的单壁碳纳米管溶液中，加入与半导体性碳纳米管选择性吸附的介质，并在介质表面形成半导体性碳纳米管富集层，最后以酸化消除介质的方式分离、提纯单壁碳纳米管溶液...
该专利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所授权不得商用。

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