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本发明公开了一种制备三维微纳器件的方法，涉及三维微纳器件技术，包括步骤：(1)样品放置与固定；(2)自由站立微纳材料的图形观测；(3)衬底平面内电极接触块及/或连线的生长；(4)三维电极接触及连线的制作；(5)衬底上残余沉积的清除；(6)得...
该专利属于中国科学院物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院物理研究所授权不得商用。

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