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本发明公开了一种沟槽MOS器件制备中沟槽的制备方法，包括如下步骤：1)先刻蚀出预设沟槽深度的一部分，该部分沟槽深度为预设沟槽深度的十分之一至二分之一，采用刻蚀后使该部分沟槽侧壁垂直于水平面的工艺条件；2)在所刻出的沟槽内壁生长氧化层；3)而...该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种沟槽MOS器件制备中沟槽的制备方法，包括如下步骤：1)先刻蚀出预设沟槽深度的一部分，该部分沟槽深度为预设沟槽深度的十分之一至二分之一，采用刻蚀后使该部分沟槽侧壁垂直于水平面的工艺条件；2)在所刻出的沟槽内壁生长氧化层；3)而...