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本发明公开了一种沟槽型MOSFET结构，包括源区、漏区、体区和漂移区，该沟槽型MOSFET结构从衬底往上依次为源区、体区、漂移区和漏区，源极位于衬底的背面，同时体区底部设置有用于形成欧姆接触的掺杂埋层。这样，在同一衬底上制备的由所述沟槽型M...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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