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一种掩模版图、掩模版制造方法和掩模版图校正方法，其中，所述掩模版图包括用于根据曝光显影工艺以形成产品图形的设计图形，还包括：辅助图形，具有不超过曝光分辨率的尺寸，并且在曝光之后形成对所述设计图形的曝光损失进行补偿的区域。本发明通过设置辅助图...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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