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本发明公开了一种厚膜光刻胶清洗液及其清洗方法。该光刻胶清洗液包含二甲基亚砜，氢氧化钾，芳基醇，醇胺，金属腐蚀抑制剂。本发明的光刻胶清洗液可以在较大的温度范围内(30～90℃)使用，用于除去半导体制造工艺中金属、金属合金或电介质等基材上的较厚...
该专利属于安集微电子(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安集微电子(上海)有限公司授权不得商用。

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