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带MOS电容的增益单元eDRAM单元、存储器及制备方法技术
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下载带MOS电容的增益单元eDRAM单元、存储器及制备方法的技术资料
文档序号:6989295
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本发明提供一种增益单元eDRAM单元、存储器及制备方法,属于嵌入式动态随机存储器(eDRAM)技术领域。该发明提供的增益单元eDRAM单元在存储节点处增加一个MOS电容,从而提高增益单元eDRAM单元的数据保持时间,降低刷新频率,减小由该增...
该专利属于复旦大学所有,仅供学习研究参考,未经过复旦大学授权不得商用。
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