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一种将单晶硅薄片用强脉冲离子束改性为LED衬底的碳化硅材料的方法，首先将单晶硅加工成薄片状置于强脉冲离子束靶座前；采用石墨作为注入用离子源发射体，抽真空后通入适当氩气，将真空系统档板遮蔽单晶硅薄片，启动强脉冲离子束，再关闭氩气，移开挡板后开...
该专利属于高志洪所有，仅供学习研究参考，未经过高志洪授权不得商用。

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