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本发明公开了一种微机电系统中压阻式压力传感器多晶硅横隔膜的形成方法，包括如下步骤：(1)在硅基板上依次淀积衬底氧化膜和氮化膜；(2)对氮化膜和衬底氧化膜进行刻蚀，形成硬质掩膜板；(3)以氮化膜作为硬质掩膜板，在硅基板上进行沟槽刻蚀；(4)沟...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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