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本发明涉及一种新型沟槽结构的功率MOSFET器件及其制造方法，其元件区的元胞采用沟槽结构，元胞沟槽内设有绝缘氧化层，元胞沟槽内的第二绝缘栅氧化层的厚度大于第一绝缘栅氧化层的厚度；元胞沟槽内淀积有导电多晶硅，第一导电多晶硅在元胞沟槽内延伸的距...
该专利属于无锡新洁能功率半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡新洁能功率半导体有限公司授权不得商用。

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