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常关型场控沟道GaN异质结二极管，属于半导体器件技术领域。本发明采用绝缘层-凹槽、调制掺杂以及凹槽-调制掺杂相结合的技术改变现有GaN异质结二极管的导电沟道结构，将原有的常开型自发极化GaN异质结导电沟道改成本发明中的自发极化和压电极化相结...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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