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本发明涉及一种氢氧焰等离子体提纯冶金级多晶硅粉体的方法，该方法包括以下步骤：(1)将冶金级硅粉进行超声清洗后，室温下晾干，得到预处理硅粉；(2)将预处理硅粉放入氢氧焰等离子体提纯装置内的送料槽中；(3)打开所述氢氧焰等离子体提纯装置内的氢氧...
该专利属于兰州大学所有，仅供学习研究参考，未经过兰州大学授权不得商用。

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