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激光混强场装置，包括内腔为球形结构的壳体，在壳体的球形内腔中镶嵌有若干个半导体激光器阵列，除半导体激光器陈列出射口处的壳体内壁上设置有一层耐高温全反射层，在各半导体激光器的出射口均设置有挡板，壳体的一侧开设有一面积为S1的开口，该开口上安装...
该专利属于西安交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安交通大学授权不得商用。

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