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一种基于纳米柱阵列结构的光电器件及其制作方法。该光电器件包括表面具有纳米柱阵列结构的n型或p型半导体层,该纳米柱阵列上依次生长有垂直结构有源区和横向连续无裂痕的p型或n型区,该p型或n型区上覆设电流扩展层,该n型或p型半导体层和电流扩展层上...该专利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所授权不得商用。
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一种基于纳米柱阵列结构的光电器件及其制作方法。该光电器件包括表面具有纳米柱阵列结构的n型或p型半导体层,该纳米柱阵列上依次生长有垂直结构有源区和横向连续无裂痕的p型或n型区,该p型或n型区上覆设电流扩展层,该n型或p型半导体层和电流扩展层上...