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本发明涉及一种基于电子束激励脱附的纳电子器件和/或电路的制作方法，主要利用电子束激励脱附原理对化学吸附石墨烯的吸附原子进行选区脱附，按设计意图形成脱附图案，在此基础上实现纳电子器件和/或电路；其具体步骤：（1）制备悬空石墨烯薄膜或石墨烯/低...该专利属于中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所授权不得商用。