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本发明是在氮化硅的生产工艺的基础上添加一种添加剂氧化钇(Y2O3)，来制取具有更好性能的无压烧结生产高性能氮化硅(Si3N4)陶瓷的方法。其特征所涉及的无压烧结生产高性能氮化硅，组分及质量百分比含量为：氧化钇5%～9％，氮化硅91％～95％...
该专利属于沈斌斌所有，仅供学习研究参考，未经过沈斌斌授权不得商用。

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