温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种制造NMOS晶体管的方法，所述方法包含如下步骤：提供一硅衬底；在所述硅衬底上形成栅极；以栅极为掩膜，向所述硅衬底中注入硼和铟离子，形成轻掺杂的源区和漏区；在所述栅极上形成一氧化层，蚀刻所述氧化层以在所述栅极侧壁上形成间隙壁；...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。