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本发明公开了一种晶硅太阳电池减反射膜及其制备方法，其折射率由上至下等速率的增大，折射率最小处1.95，折射率最大处2.45；其制备时用石墨舟承载单晶或多晶硅片，在通入硅烷、氨气的情况下进行辉光放电沉积镀膜；硅烷流量随辉光时间不断减小，氨气流...
该专利属于西安黄河光伏科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安黄河光伏科技股份有限公司授权不得商用。

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