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一种相变存储器单元形成方法，包括：提供形成有第一金属层的半导体衬底，所述半导体衬底形成有覆盖第一金属层的第一层间介质层，所述第一层间介质层表面覆盖有阻挡层和第二层间介质层，形成在第二层间介质层、阻挡层和第一层间介质层内并暴露出第一金属层的开...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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