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本发明属于半导体存储器技术领域，具体公开一种包含硅掺杂的氧化锰基电阻型存储器及其制备方法。所述氧化锰基电阻型存储器包括上电极、下电极以及设置在上电极和下电极之间的MnSixOy存储介质层，其中，0.001＜x≤2，2＜y≤5。MnSixOy...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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