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本发明公开了一种铸造法生产类似单晶硅锭炉底温度控制方法，涉及锭炉底温度控制方法，在GT或四面加顶面加热器的铸锭炉生长类似单晶过程中，熔化阶段炉底温度控制的方法如下：a当TC1大于1170摄氏度后，控制TC1比TC2高50～350摄氏度；b当...
该专利属于安阳市凤凰光伏科技有限公司;石坚所有，仅供学习研究参考，未经过安阳市凤凰光伏科技有限公司;石坚授权不得商用。

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