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一种硅基液晶器件及其制作方法。所述硅基液晶器件包括：半导体衬底，自下而上依次位于半导体衬底上的开关晶体管、存储电容器及反射控制结构；所述开关晶体管采用MOS晶体管结构，包括栅极、源极及漏极；所述存储电容器包括第一极板与第二极板，所述反射控制...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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