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本发明公开了一种检测半导体发光二极管一次散热性和二次散热性好坏的方法。本发明提出了基于光谱方法的半导体发光二极管结温与时间依赖关系获得半导体发光二极管一次散热性和二次散热性好坏的新方法。通过光学测量方法得到温度和时间的动态曲线,由两段指数拟...该专利属于中国科学院上海技术物理研究所;阿旺赛镀膜技术(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院上海技术物理研究所;阿旺赛镀膜技术(上海)有限公司授权不得商用。