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一种真空灭弧室的外部屏蔽结构,克服了现有技术中真空灭弧室陶瓷金属化的局部台肩处加工精度不够或装配精度不够，会产生尖端突出的现象，使该处电场集中，又由于陶瓷外壳与金属外壳装配在轴线方向上不同心，容易产生偏差，会使该处局部电场分布不均匀，局部放...
该专利属于沈阳华利能源设备制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过沈阳华利能源设备制造有限公司授权不得商用。

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