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本发明公开了一种提高直拉硅单晶生产效率的方法，包括以下步骤：一、硅原料及掺杂剂准备；二、装料；三、单晶炉炉内处理：按直拉法常规处理工艺，依次完成合炉、抽真空、熔料、引晶、放肩、转肩和等径生长过程；四、后期处理，过程如下：首先、关闭单晶炉的石...
该专利属于西安华晶电子技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安华晶电子技术股份有限公司授权不得商用。

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