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本发明公开了一种高倍聚光太阳能电池芯片，其包括一外延层结构，一形成于所述外延层结构上表面的经特殊设计的图形化上电极，一形成于所述外延层结构下表面的背面电极。所述图形化上电极包括主栅及次栅，其中主栅由一系列等腰梯形结构连接而成，梯形上边在同一...
该专利属于厦门市三安光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门市三安光电科技有限公司授权不得商用。

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