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本发明提供了一种CMOS影像传感器及其制造方法。根据本发明的CMOS影像传感器制造方法包括步骤：在半导体衬底上形成CMOS处理电路结构；形成顶层通孔；形成顶层金属结构，所述顶层金属结构包括PN结上下电极和金属假图形；沉积第一导电类型非晶硅材...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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