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一种优化硅基GaN场发射特性的晶体结构调制方法技术
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文档序号:6786854
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本发明公开了一种优化硅基GaN场发射特性的晶体结构调制方法,属于场发射阴极领域。包括如下步骤:选择Si作为衬底,GaN靶作为靶材;将衬底和靶材放入激光脉冲沉积系统,调整靶基距为50-90mm,抽真空使背底真空为1×10-5-1×10-2Pa...
该专利属于北京工业大学所有,仅供学习研究参考,未经过北京工业大学授权不得商用。
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