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本发明提供了一种高反射率的垂直结构发光二极管芯片，该芯片为单电极结构，包含分布布拉格反射层一DBR，欧姆接触层，低热阻的散热基板，极大的提高出光效率，改善器件的散热能力；制备方法是：首先在衬底上生长外延层，其中外延层包括缓冲层，N型层，多量...
该专利属于华灿光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电股份有限公司授权不得商用。

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