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本发明涉及一种半导体器件及一种制造半导体器件的方法。一种半导体器件包括第一器件(100)，第二器件(200)；在其中横向彼此相邻地实施第一器件(100)和第二器件(200)的衬底(300)；以及复合区域(400)。所述复合区域(400)实施...
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