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本发明涉及半导体照明领域和金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术领域，涉及一种GaN基单芯片白光发光二极管，包括一GaN成核层、一n型GaN层缓冲层、一InGaN插入层、一有源层、一GaN隔离层、一p型欧姆接触层，依次层叠于C面蓝宝石衬底上...
该专利属于天津工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津工业大学授权不得商用。

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