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一种基于掺杂氧化钒薄膜的阻变存储器及其制备方法技术
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下载一种基于掺杂氧化钒薄膜的阻变存储器及其制备方法的技术资料
文档序号:6694171
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一种基于掺杂氧化钒薄膜的阻变存储器,包括底电极、顶电极和电阻转变层,电阻转变层为掺杂氧化钒薄膜,掺杂氧化钒薄膜位于底电极和顶电极之间,掺杂氧化钒薄膜包括第一层氧化钒薄膜、掺杂金属薄膜和第二层氧化钒薄膜,掺杂金属薄膜设置于第一层氧化钒薄膜和第...
该专利属于天津理工大学所有,仅供学习研究参考,未经过天津理工大学授权不得商用。
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