温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种实现半导体聚合物图形化的方法，包括如下步骤：在基板上形成半导体聚合物薄膜；用紫外光通过具有图形的掩模对半导体聚合物薄膜进行曝光，聚合物薄膜受光照的部分体现出不同于未受光照部分的光学和电学特性，从而在聚合物薄膜上获得通过用光学和...
该专利属于哈尔滨工业大学深圳研究生院所有，仅供学习研究参考，未经过哈尔滨工业大学深圳研究生院授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。