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本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括有源区，该有源区设置在衬底上，包括相互间形成结的第一导电类型的第一深阱和第二导电类型的第二深阱。栅电极在所述结上且在所述第一导电类型的第一深阱的一部分和所述第二导电类型的第二深阱的一部...
该专利属于美格纳半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过美格纳半导体有限公司授权不得商用。

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