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量子点分子发光器件制造技术
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文档序号:6675969
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本发明涉及量子点分子发光器件,该发光器件自下而上依次包含以下结构:下金锗镍金属电极层(1)、镓砷衬底(2)、镓砷缓冲层(3)、n型铝镓砷下包层(4)、镓砷下限制波导层(5)、量子点分子有源区、镓砷上限制波导层(9)、p型铝镓砷上包层(10)...
该专利属于华中科技大学所有,仅供学习研究参考,未经过华中科技大学授权不得商用。
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