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本发明提出一种半导体结构，包括：第一半导体材料衬底；形成在所述第一半导体材料衬底顶层之上的第一多孔结构层；形成在所述第一多孔结构层之上的第二多孔结构层，其中，所述第二多孔结构层中的孔隙率和孔径均小于所述第一多孔结构层中的孔隙率和孔径；形成在...
该专利属于王楚雯;赵东晶所有，仅供学习研究参考，未经过王楚雯;赵东晶授权不得商用。

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