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本发明属于非挥发存储器技术领域，具体涉及一种阻变特性优化的阻变存储器及其制备方法。本发明的阻变存储器采用原子层淀积方法生长的氧化铪与氧化铝薄膜作为功能层。并通过调节氧化铪与氧化铝薄膜不同厚度比例，以达到阻变特性最优化。其步骤是用原子层淀积方...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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