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本发明属于半导体器件技术领域，具体公开了一种亮度可调的发光器件、阵列及其制造方法。所述发光器件包括包括一个半导体衬底、位于所述半导体衬底之上的MOSFET和发光二极管。发光二极管（LED）及其控制元件（MOSFET）集成在同一个芯片上，使单...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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