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本发明公开了一种新型封装结构的大功率模块，它包括基板、直接敷铜基板(DBC)、绝缘栅双极性晶体管(IGBT)芯片、二极管芯片、功率端子、信号端子和外壳，功率端子头部有预折弯结构，该预折弯结构的功率端子与直接敷铜基板通过超声焊接结合，信号端子...
该专利属于嘉兴斯达微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过嘉兴斯达微电子有限公司授权不得商用。

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