温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种具有较大带隙的氮铟镓薄膜，其化学分子式为InxGa1-xN，式中x为0.05～0.3，该氮铟镓薄膜，由衬底和该衬底表面形成的一层氮铟镓薄膜构成，所述氮铟镓薄膜的厚度为0.6-1.5?m；其制备方法是：首先在MOCVD沉积系统的进样室中，...
该专利属于天津理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津理工大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。