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一种提高发光效率的发光二极管，涉及光电技术领域。本实用新型发光二极管包括衬底上方的依次由N型半导体层、发光层和P型半导体层组成的发光结构。发光结构的一端设置P型电极，与P型电极相对的另一端设置N型电极。其结构特点是，所述N型电极下方设有刻蚀...
该专利属于同方光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过同方光电科技有限公司授权不得商用。

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